CSD23203WT
- Número de pieza:
- CSD23203WT
- Fabricante:
- TI
- Descripción:
- MOSFET P-CH 8V 3A 6DSBGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 35906 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- CSD23203WT.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | -6V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | 6-DSBGA |
| Serie: | NexFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 19.4 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 750mW (Ta) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | 6-UFBGA, DSBGA |
| Otros nombres: | 296-38615-1 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 35 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 914pF @ 4V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 6.3nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 8V |
| Descripción detallada: | P-Channel 8V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount 6-DSBGA |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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