CDBDSC5650-G
- Número de pieza:
- CDBDSC5650-G
- Fabricante:
- Comchip Technology
- Descripción:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 49456 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- CDBDSC5650-G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.7V @ 5A |
| Voltaje - Inverso (Vr) (máx): | 650V |
| Paquete del dispositivo: | D-PAK (TO-252) |
| Velocidad: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Tiempo de recuperación inversa (trr): | 0ns |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Otros nombres: | 641-1931 |
| Temperatura de funcionamiento - Junction: | -55°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 16 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo: | Silicon Carbide Schottky |
| Descripción detallada: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 21.5A (DC) Surface Mount D-PAK (TO-252) |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 100µA @ 650V |
| Corriente - rectificada media (Io): | 21.5A (DC) |
| Capacitancia Vr, F: | 424pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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