BUK961R5-30E,118
- Número de pieza:
- BUK961R5-30E,118
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 14794 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- BUK961R5-30E,118.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | TrenchMOS™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.3 mOhm @ 25A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 324W (Tc) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | 568-10172-2 934066661118 BUK961R5-30E,118-ND BUK961R530E118 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free by exemption / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 14500pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 93.4nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | N-Channel 30V 120A (Tc) 324W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 120A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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