BSO211PNTMA1
BSO211PNTMA1
Número de pieza:
BSO211PNTMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
47895 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BSO211PNTMA1.pdf

Introducción

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Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
VGS (th) (Max) @Id:1.2V @ 25µA
Paquete del dispositivo:P-DSO-8
Serie:OptiMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:67 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Potencia - Max:2W
embalaje:Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres:BSO211PINCT
BSO211PINCT-ND
BSO211PNTMA1CT
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:920pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:23.9nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica de FET:Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:20V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4.7A 2W Surface Mount P-DSO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.7A
Número de pieza base:BSO211
Email:[email protected]

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