Condición | New & Unused, Original Packing |
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Origen | Contact us |
VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 43µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PG-TDSON-8 |
Serie: | OptiMOS™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 25.2 mOhm @ 20A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 78W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
Otros nombres: | BSC252N10NSF G BSC252N10NSF G-ND BSC252N10NSF GTR BSC252N10NSF GTR-ND BSC252N10NSFGATMA1TR SP000379608 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 50V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 17nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción detallada: | N-Channel 100V 7.2A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 7.2A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |