español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-RF > BLP10H605Z
BLP10H605Z
BLP10H605Z
Número de pieza:
BLP10H605Z
Fabricante:
Ampleon
Descripción:
RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
52607 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days
Ficha de datos:
BLP10H605Z.pdf
Investigación

Introducción

We can supply BLP10H605Z, use the request quote form to request BLP10H605Z pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number BLP10H605Z.The price and lead time for BLP10H605Z depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# BLP10H605Z.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificaciones

Condición New & Unused, Original Packing
Origen Contact us
Voltaje - Prueba:50V
Tensión - Calificación:104V
Tipo de transistor:LDMOS (Dual), Common Source
Paquete del dispositivo:12-HVSON (6x5)
Serie:-
Alimentación - Salida:5W
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:12-VDFN Exposed Pad
Otros nombres:934068214515
Figura de ruido:-
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):3 (168 Hours)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:13 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Ganancia:22.4dB
Frecuencia:860MHz
Descripción detallada:RF Mosfet LDMOS (Dual), Common Source 50V 30mA 860MHz 22.4dB 5W 12-HVSON (6x5)
Valoración actual:-
Corriente - Prueba:30mA
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de BLP10H605Z

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
BLP05H635XRY Image BLP05H635XRY Ampleon RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 Investigación
BLP10H603AZ Image BLP10H603AZ Ampleon RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Investigación
BLP05H6700XRY Image BLP05H6700XRY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V SOT1138-2 Investigación
BLP05H6700XRGY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP Investigación
BLP05H675XRY Image BLP05H675XRY Ampleon RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232 Investigación
BLP05M7200Y Image BLP05M7200Y Ampleon RF FET LDMOS 65V 21DB SOT1140 Investigación
BLP10H603Z Image BLP10H603Z Ampleon RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Investigación
BLP05H675XRGY Image BLP05H675XRGY Ampleon RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 Investigación
BLP10H605AZ Image BLP10H605AZ Ampleon RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Investigación
BLP10H630PGY Image BLP10H630PGY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP Investigación
BLP10H630PY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF Investigación
BLP05H635XRGY Image BLP05H635XRGY Ampleon RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12242 Investigación
BLP10H660PGY Image BLP10H660PGY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP Investigación
BLP10H610Z Image BLP10H610Z Ampleon RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Investigación
BLP10H610AZ Image BLP10H610AZ Ampleon RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN Investigación
BLP10H660PY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF Investigación
BLP10H690PGY Image BLP10H690PGY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP Investigación
BLP10H6120PY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF Investigación
BLP10H6120PGY Image BLP10H6120PGY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP Investigación
BLP10H690PY Ampleon RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOPF Investigación

Latest Noticias