70V639S10BF
- Número de pieza:
- 70V639S10BF
- Fabricante:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Descripción:
- IC SRAM 2.25M PARALLEL 208CABGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 40396 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 70V639S10BF.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 10ns |
| Suministro de voltaje: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Tecnología: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Paquete del dispositivo: | 208-CABGA (15x15) |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 208-LFBGA |
| Otros nombres: | IDT70V639S10BF IDT70V639S10BF-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 2.25Mb (128K x 18) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | SRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descripción detallada: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15) |
| Número de pieza base: | IDT70V639 |
| Tiempo de acceso: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
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