3LP01S-TL-E
- Número de pieza:
- 3LP01S-TL-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descripción:
- MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 22507 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 3LP01S-TL-E.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | - |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SMCP |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 10.4 Ohm @ 50mA, 4V |
| La disipación de energía (máximo): | 150mW (Ta) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | SC-75, SOT-416 |
| Otros nombres: | 3LP01S-TL-EOSCT |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7.5pF @ 10V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 1.43nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 1.5V, 4V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SMCP |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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