2SK2009TE85LF
- Número de pieza:
- 2SK2009TE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 35774 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 2SK2009TE85LF.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SC-59-3 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2 Ohm @ 50MA, 2.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 200mW (Ta) |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | 2SK2009 (TE85L,F) 2SK2009(TE85L,F) 2SK2009TE85LFTR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 70pF @ 3V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción detallada: | N-Channel 30V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59-3 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 200mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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