2SD1221-Y(Q)
- Número de pieza:
- 2SD1221-Y(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descripción:
- TRANS NPN 60V 3A PW MOLD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 28145 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days
- Ficha de datos:
- 2SD1221-Y(Q).pdf
Introducción
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Especificaciones
| Condición | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Origen | Contact us |
| Tensión - Colector-emisor (máx): | 60V |
| VCE de saturación (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 300mA, 3A |
| Tipo de transistor: | NPN |
| Paquete del dispositivo: | PW-MOLD |
| Serie: | - |
| Potencia - Max: | 1W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frecuencia - Transición: | 3MHz |
| Descripción detallada: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 3MHz 1W Surface Mount PW-MOLD |
| DC ganancia de corriente (HFE) (Min) @ Ic, Vce: | 100 @ 500mA, 5V |
| Corriente - corte del colector (Max): | 100µA (ICBO) |
| Corriente - colector (Ic) (Max): | 3A |
| Email: | [email protected] |
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