ZXMN6A11DN8TC
- Artikelnummer:
- ZXMN6A11DN8TC
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 33629 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- ZXMN6A11DN8TC.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA (Min) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 120 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Leistung - max: | 1.8W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 330pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.7nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 2.5A 1.8W Surface Mount 8-SOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 2.5A |
| Email: | [email protected] |
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