W987D2HBJX7E TR
- Artikelnummer:
- W987D2HBJX7E TR
- Hersteller:
- Winbond Electronics Corporation
- Beschreibung:
- IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 13315 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- W987D2HBJX7E TR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 15ns |
| Spannungsversorgung: | 1.7 V ~ 1.95 V |
| Technologie: | SDRAM - Mobile LPSDR |
| Supplier Device-Gehäuse: | 90-VFBGA (8x13) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 90-TFBGA |
| Andere Namen: | W987D2HBJX7E TR-ND W987D2HBJX7ETR |
| Betriebstemperatur: | -25°C ~ 85°C (TC) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 128Mb (4M x 32) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | DRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 133MHz 5.4ns 90-VFBGA (8x13) |
| Uhrfrequenz: | 133MHz |
| Zugriffszeit: | 5.4ns |
| Email: | [email protected] |
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