TRS8E65C,S1Q
- Artikelnummer:
- TRS8E65C,S1Q
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 15248 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- TRS8E65C,S1Q.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 1.7V @ 8A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 650V |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220-2L |
| Geschwindigkeit: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 0ns |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-2 |
| Andere Namen: | TRS8E65C,S1Q(S TRS8E65CS1Q |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 175°C (Max) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Silicon Carbide Schottky |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Silicon Carbide Schottky 650V 8A (DC) Through Hole TO-220-2L |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 90µA @ 650V |
| Strom - Richt (Io): | 8A (DC) |
| Kapazität @ Vr, F: | 44pF @ 650V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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