Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 300V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 750mV @ 3mA, 30mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-226 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 1W |
Verpackung: | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 300V 200mA 1W Through Hole TO-226 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 40 @ 30mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 200mA |
Email: | [email protected] |