Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 700µA |
Vgs (Max): | ±30V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P(N) |
Serie: | π-MOSVIII |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2 Ohm @ 3.5A, 10V |
Verlustleistung (max): | 200W (Tc) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Andere Namen: | TK7J90E,S1E(S TK7J90ES1E |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 32nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 900V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 900V 7A (Ta) 200W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 7A (Ta) |
Email: | [email protected] |