TJ15P04M3,RQ(S
- Artikelnummer:
- TJ15P04M3,RQ(S
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 40V 15A DPAK-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 6956 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.TJ15P04M3,RQ(S.pdf2.TJ15P04M3,RQ(S.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 100µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
| Serie: | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 36 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 29W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | TJ15P04M3RQ(S TJ15P04M3RQS |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 40V 15A (Ta) 29W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 15A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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