TC58CVG2S0HRAIG
- Artikelnummer:
- TC58CVG2S0HRAIG
- Hersteller:
- Toshiba Memory America, Inc.
- Beschreibung:
- IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 65110 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- TC58CVG2S0HRAIG.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
| Spannungsversorgung: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technologie: | FLASH - NAND (SLC) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-WSON (6x8) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-WDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | TC58CVG2S0HRAIGBAH TC58CVG2S0HRAIGY0J TC58CVG2S0HRAIGYCJ |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Non-Volatile |
| Speichergröße: | 4Gb (512M x 8) |
| Speicherschnittstelle: | SPI - Quad I/O |
| Speicherformat: | FLASH |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | FLASH - NAND (SLC) Memory IC 4Gb (512M x 8) SPI - Quad I/O 104MHz 280µs 8-WSON (6x8) |
| Uhrfrequenz: | 104MHz |
| Zugriffszeit: | 280µs |
| Email: | [email protected] |
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