Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-252, (D-Pak) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.3 mOhm @ 20A, 10V |
Verlustleistung (max): | 3.3W (Ta), 79W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6520pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 160nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 24.4A (Ta), 40A (Tc) 3.3W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 24.4A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | [email protected] |