SSM4K27CTTPL3
- Artikelnummer:
- SSM4K27CTTPL3
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V .5A CST4
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 56104 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.SSM4K27CTTPL3.pdf2.SSM4K27CTTPL3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | CST4 (1.2x0.8) |
| Serie: | U-MOSIII |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 205 mOhm @ 250mA, 4V |
| Verlustleistung (max): | 400mW (Ta) |
| Verpackung: | Original-Reel® |
| Verpackung / Gehäuse: | 4-SMD, No Lead |
| Andere Namen: | SSM4K27CT(TPL3)DKR SSM4K27CT(TPL3)DKR-ND SSM4K27CTTPL3DKR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 174pF @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 500mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount CST4 (1.2x0.8) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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