SQD50N04-4M5L_GE3
- Artikelnummer:
- SQD50N04-4M5L_GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
- verfügbare Anzahl:
- 41711 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SQD50N04-4M5L_GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-252AA |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.5 mOhm @ 20A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 136W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5860pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 40V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 40V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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