Bedingung | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 3.9V @ 200µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO252-3 |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
Verlustleistung (max): | 50W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andere Namen: | SP000313944 SPD04N60C3BTMA1TR SPD04N60C3INTR SPD04N60C3INTR-ND SPD04N60C3T SPD04N60C3XT SPD04N60C3XTINTR SPD04N60C3XTINTR-ND |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 490pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 650V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 650V 4.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |