SPB80P06P
- Artikelnummer:
- SPB80P06P
- Beschreibung:
- MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 18530 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SPB80P06P.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 5.5mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-3-2 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 23 mOhm @ 64A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 340W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Andere Namen: | SP000012841 SPB80P06PT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5033pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 173nC @ 10V |
| Typ FET: | P-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | P-Channel 60V 80A (Tc) 340W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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