SIS698DN-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SIS698DN-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 6.9A 1212-8
- verfügbare Anzahl:
- 29513 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SIS698DN-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 195 mOhm @ 2.5A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 19.8W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | PowerPAK® 1212-8 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 210pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 8nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 6.9A (Tc) 19.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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