SI8261BBD-C-IS
- Artikelnummer:
- SI8261BBD-C-IS
- Hersteller:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Beschreibung:
- DGTL ISO 5KV 1CH GATE DRVR 6SDIP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 41586 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SI8261BBD-C-IS.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannungsversorgung: | 9.4 V ~ 30 V |
| Spannung - Isolation: | 5000Vrms |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ): | 2.8V (Max) |
| Technologie: | Capacitive Coupling |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-SDIP |
| Serie: | Automotive, AEC-Q100 |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ): | 5.5ns, 8.5ns |
| Pulsbreite Verzerrung (Max): | 28ns |
| Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (Max): | 60ns, 50ns |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 125°C |
| Anzahl der Kanäle: | 1 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 6 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | 4A Gate Driver Capacitive Coupling 5000Vrms 1 Channel 6-SDIP |
| Strom - Spitzenausgang: | 4A |
| Strom - hoch, niedrig: | 500mA, 1.2A |
| Strom - DC Vorwärts (If) (Max): | 30mA |
| Gattungsmodus vorübergehende Immunität (min.): | 35kV/µs |
| Zulassungen: | CQC, CSA, UR, VDE |
| Email: | [email protected] |
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