SI5908DC-T1-E3
- Artikelnummer:
- SI5908DC-T1-E3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 38041 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SI5908DC-T1-E3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 1206-8 ChipFET™ |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Leistung - max: | 1.1W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
| Andere Namen: | SI5908DC-T1-E3TR SI5908DCT1E3 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 33 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.4A |
| Basisteilenummer: | SI5908 |
| Email: | [email protected] |
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