Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 1.6V @ 250µA |
Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
Leistung - max: | 2W |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen: | SI4562DY-T1-E3-ND SI4562DY-T1-E3TR SI4562DYT1E3 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 50nC @ 4.5V |
Typ FET: | N and P-Channel |
FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2W Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | - |
Basisteilenummer: | SI4562 |
Email: | [email protected] |