SI3585CDV-T1-GE3
- Artikelnummer:
- SI3585CDV-T1-GE3
- Hersteller:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 12073 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- SI3585CDV-T1-GE3.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.5V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-TSOP |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Leistung - max: | 1.4W, 1.3W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Andere Namen: | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 32 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 150pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.8nC @ 10V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.9A, 2.1A |
| Email: | [email protected] |
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