Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-23-3 (TO-236) |
Serie: | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 345 mOhm @ 1.25A, 10V |
Verlustleistung (max): | 1W (Ta), 1.7W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen: | SI2309CDS-T1-E3-ND SI2309CDS-T1-E3TR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 33 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 210pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.1nC @ 4.5V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
detaillierte Beschreibung: | P-Channel 60V 1.6A (Tc) 1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 1.6A (Tc) |
Basisteilenummer: | SI2309 |
Email: | [email protected] |