Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Transistor-Typ: | 8 NPN Darlington |
Supplier Device-Gehäuse: | 18-CDIP |
Serie: | - |
Leistung - max: | - |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | - |
Andere Namen: | 1259-1085 1259-1085-MIL 5962-8605801VA Q10830625 SG2803JDESC |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 125°C (TA) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 500mA Through Hole 18-CDIP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 1000 @ 350mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
Email: | [email protected] |