RN2706JE(TE85L,F)
- Artikelnummer:
- RN2706JE(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 8238 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- RN2706JE(TE85L,F).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Transistor-Typ: | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
| Supplier Device-Gehäuse: | ESV |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 4.7 kOhms |
| Leistung - max: | 100mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-553 |
| Andere Namen: | RN2706JE(TE85LF)CT |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 10mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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