QS8K13TCR
- Artikelnummer:
- QS8K13TCR
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 30V 6A TSMT8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 38218 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.QS8K13TCR.pdf2.QS8K13TCR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Supplier Device-Gehäuse: | TSMT8 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 28 mOhm @ 6A, 10V |
| Leistung - max: | 550mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SMD, Flat Lead |
| Andere Namen: | QS8K13TCRTR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 390pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20nC @ 10V |
| Typ FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Merkmal: | Standard |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 550mW Surface Mount TSMT8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 6A |
| Email: | [email protected] |
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