PSMN8R5-108ESQ
- Artikelnummer:
- PSMN8R5-108ESQ
- Hersteller:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 33132 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- PSMN8R5-108ESQ.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I2PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 263W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen: | 568-11432-5 934068134127 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 5512pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 111nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 108V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 108V 100A (Tj) 263W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100A (Tj) |
| Email: | [email protected] |
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