Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | DFN1010D-3 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 3.2A, 10V |
Verlustleistung (max): | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 3-XDFN Exposed Pad |
Andere Namen: | 1727-1477-2 1727-1477-2-ND 1727-2313-2 568-10948-2 568-10948-2-ND 568-12599-2 568-12599-2-ND 934067234115 934067234147 PMXB56EN PMXB56ENZ-ND |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 209pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.3nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 3.2A (Ta) 400mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount DFN1010D-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |