NTGD3149CT1G
- Artikelnummer:
- NTGD3149CT1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 34573 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NTGD3149CT1G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-TSOP |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 60 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Leistung - max: | 900mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 387pF @ 10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.5nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.2A, 2.4A 900mW Surface Mount 6-TSOP |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.2A, 2.4A |
| Email: | [email protected] |
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