NTD18N06L-001
- Artikelnummer:
- NTD18N06L-001
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 72865 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NTD18N06L-001.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±15V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | I-PAK |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 9A, 5V |
| Verlustleistung (max): | 2.1W (Ta), 55W (Tj) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen: | NTD18N06L-001OS |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 675pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 22nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 60V 18A (Ta) 2.1W (Ta), 55W (Tj) Through Hole I-PAK |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 18A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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