NSTB1002DXV5T1G
- Artikelnummer:
- NSTB1002DXV5T1G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.5W SOT55
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 63761 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NSTB1002DXV5T1G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V, 40V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 300µA, 10mA / 400mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-553 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 47 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 47 kOhms |
| Leistung - max: | 500mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-553 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 250MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA, 200mA 250MHz 500mW Surface Mount SOT-553 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 80 @ 5mA, 10V / 100 @ 1mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA, 200mA |
| Email: | [email protected] |
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