NESG7030M04-A
- Artikelnummer:
- NESG7030M04-A
- Hersteller:
- CEL (California Eastern Laboratories)
- Beschreibung:
- DISCRETE RF DIODE
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 49005 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- NESG7030M04-A.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 4.3V |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | M04 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 125mW |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-343F |
| Andere Namen: | NESG7030M04A |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Rauschzahl (dB Typ @ f): | 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gewinnen: | 14dB ~ 21dB |
| Frequenz - Übergang: | 5.8GHz |
| detaillierte Beschreibung: | RF Transistor NPN 4.3V 30mA 5.8GHz 125mW Surface Mount M04 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 5mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 30mA |
| Email: | [email protected] |
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