Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | - |
Spannungsversorgung: | 1.28 V ~ 1.42 V |
Technologie: | DRAM |
Serie: | - |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Andere Namen: | MT44K64M18RB-083F:A TR-ND MT44K64M18RB-083F:ATR |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 95°C (TC) |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Speichertyp: | Volatile |
Speichergröße: | 1.125Gb (64Mb x 18) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Speicherformat: | DRAM |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
detaillierte Beschreibung: | DRAM Memory IC 1.125Gb (64Mb x 18) Parallel 1200MHz 6.67ns |
Uhrfrequenz: | 1200MHz |
Zugriffszeit: | 6.67ns |
Email: | [email protected] |