MT3S113(TE85L,F)
- Artikelnummer:
- MT3S113(TE85L,F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 32243 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- MT3S113(TE85L,F).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 5.3V |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | S-Mini |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 800mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | MT3S113(TE85LF) MT3S113(TE85LF)TR |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Rauschzahl (dB Typ @ f): | 1.45dB @ 1GHz |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gewinnen: | 11.8dB |
| Frequenz - Übergang: | 12.5GHz |
| detaillierte Beschreibung: | RF Transistor NPN 5.3V 100mA 12.5GHz 800mW Surface Mount S-Mini |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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