Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 250V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 700mV @ 2mA, 20mA |
Transistor-Typ: | 2 NPN, 2 PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-116 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 750mW |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang: | 50MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN, 2 PNP 250V 500mA 50MHz 750mW Through Hole TO-116 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 25 @ 30mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 250nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
Email: | [email protected] |