MMBT6517LT3G
- Artikelnummer:
- MMBT6517LT3G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 350V 0.1A SOT-23
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 5444 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- MMBT6517LT3G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 350V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-23-3 (TO-236) |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 225mW |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | MMBT6517LT3GOSCT |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 350V 100mA 200MHz 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 20 @ 50mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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