MJE18006G
- Artikelnummer:
- MJE18006G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 450V 6A TO-220AB
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 75868 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- MJE18006G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 450V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 700mV @ 600mA, 3A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
| Serie: | SWITCHMODE™ |
| Leistung - max: | 100W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 14MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 450V 6A 14MHz 100W Through Hole TO-220AB |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 6 @ 3A, 1V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 6A |
| Email: | [email protected] |
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