MJD122T4G
- Artikelnummer:
- MJD122T4G
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 72990 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- MJD122T4G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 100V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 4V @ 80mA, 8A |
| Transistor-Typ: | NPN - Darlington |
| Supplier Device-Gehäuse: | DPAK |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 1.75W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | MJD122T4GOS MJD122T4GOS-ND MJD122T4GOSTR |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 17 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 4MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 8A 4MHz 1.75W Surface Mount DPAK |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 1000 @ 4A, 4V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 8A |
| Basisteilenummer: | MJD122 |
| Email: | [email protected] |
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