Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 120V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 1mA, 10mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92S |
Serie: | - |
Leistung - max: | 300mW |
Verpackung: | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 110MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 50mA 110MHz 300mW Through Hole TO-92S |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 300 @ 1mA, 6V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 50nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50mA |
Email: | [email protected] |