KSB810YTA
- Artikelnummer:
- KSB810YTA
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PNP 25V 0.7A TO-92S
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 27870 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- KSB810YTA.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 25V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 70mA, 700mA |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92S |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 350mW |
| Verpackung: | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 Short Body |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 160MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 700mA 160MHz 350mW Through Hole TO-92S |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 120 @ 100mA, 1V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 700mA |
| Email: | [email protected] |
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