KSB1116GTA
- Artikelnummer:
- KSB1116GTA
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PNP 50V 1A TO-92
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 74730 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- KSB1116GTA.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 50mA, 1A |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 750mW |
| Verpackung: | Tape & Box (TB) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 120MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 1A 120MHz 750mW Through Hole TO-92-3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
| Basisteilenummer: | KSB1116 |
| Email: | [email protected] |
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