JANSR2N3810U
- Artikelnummer:
- JANSR2N3810U
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- RH SMALL-SIGNAL BJT
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 65775 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- JANSR2N3810U.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 1mA, 100µA |
| Transistor-Typ: | 2 PNP (Dual) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-SMD |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/336 |
| RoHS-Status: | RoHS non-compliant |
| Leistung - max: | 350mW |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-SMD, No Lead |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 33 Weeks |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 50mA 350mW Surface Mount 6-SMD |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 150 @ 1mA, 5V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50mA |
| Email: | [email protected] |
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