JAN2N3636
- Artikelnummer:
- JAN2N3636
- Hersteller:
- Microsemi
- Beschreibung:
- TRANS PNP 175V 1A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 51414 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- JAN2N3636.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 175V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | PNP |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-39 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/357 |
| Leistung - max: | 1W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Andere Namen: | 1086-20880 1086-20880-MIL |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang: | - |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 175V 1A 1W Through Hole TO-39 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 50 @ 50mA, 10V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
| Email: | [email protected] |
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