IXDF602SIA
- Artikelnummer:
- IXDF602SIA
- Hersteller:
- IXYS Integrated Circuits Division
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 2A DUAL LO SIDE 8-SO
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 33261 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IXDF602SIA.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannungsversorgung: | 4.5 V ~ 35 V |
| Supplier Device-Gehäuse: | 8-SOIC |
| Serie: | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ): | 7.5ns, 6.5ns |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Andere Namen: | CLA353 IXDF602SIA-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Anzahl der Treiber: | 2 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 7 Weeks |
| Logikspannung - VIL, VIH: | 0.8V, 3V |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Inverting, Non-Inverting |
| Gate-Typ: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Angetriebene Konfiguration: | Low-Side |
| detaillierte Beschreibung: | Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting 8-SOIC |
| Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink): | 2A, 2A |
| Ladestrom: | Independent |
| Email: | [email protected] |
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