IRG8CH50K10F
- Artikelnummer:
- IRG8CH50K10F
- Beschreibung:
- IGBT CHIP WAFER
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 77097 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IRG8CH50K10F.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2V @ 15V, 50A |
| Testbedingung: | 600V, 50A, 5 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 60ns/285ns |
| Schaltenergie: | - |
| Supplier Device-Gehäuse: | Die |
| Serie: | - |
| Verpackung / Gehäuse: | Die |
| Andere Namen: | SP001536162 |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | - |
| Gate-Ladung: | 245nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT 1200V 50A Surface Mount Die |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
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